受電動車市場快速成長影響，帶動第三代半導體的商機發展，其中，具備優越物理特性的SiC（碳化矽）更是吸引科技大廠投入資源，以在汽車動力系統的搶先卡位。而鴻海研究院近年來積極連結產學研究能量，與陽明交通大學及鴻揚半導體攜手合作，共同致力於高壓碳化矽元件的開發，也取得許多亮眼成果。
目前碳化矽半導體多半由歐美企業主導，除了擁有技術優勢，在供應鏈上也已穩健佈局，例如美國碳化矽(SiC)材料領導廠商Wolfspeed不僅在美國建立首座8吋SiC晶圓廠，近期更於德國新建一座8吋SiC晶圓廠，積極展現其對碳化矽元件供應的高度重視。而作為歐洲領先製造商的英飛凌，除了向上鏈結既有的基板供應商，如WolfSpeed、安森美（OnSemi）、日本羅姆（Rohm），並且納入中國的SiC晶圓廠天岳和天科合達，以確保供應鏈的穩定性。
此外，意法半導體（STM）則和中國三安光電及重慶政府合資，共同興建一座8吋碳化矽半導體晶圓廠，以顯示全球對碳化矽的重視。而泛鴻海集團的盛新半導體也在今年成功產出台灣首片的8吋碳化矽晶圓，確保台灣在碳化矽產業供應鏈上取得一席位置。
圖一、碳化矽產業垂直產業鏈（圖片來源：鴻海研究院）
過去30年來，台灣憑藉完善且高效的供應鏈及世界領先的製造技術，在全球半導體產業中發揮引領作用。然而，隨著化合物半導體革新潮流的來臨，台灣必須善用自身的產業特色，以開創新的局面。近來，台灣在化合物半導體的發展上，也積極展現技術探索與突破能力，如鴻海科技集團在高功率碳化矽元件的發展上，採用虛擬IDM的概念，透過專業分工形式將盛新半導體（基板）、鴻揚半導體（專業代工廠）、能創半導體（模組）等製造商整合，發揮從上游到下游垂直整合的優勢。
在技術發展上，鴻海研究院也與陽明交通大學、鴻揚半導體攜手合作，共同致力於高壓碳化矽元件的開發，並取得令人驚艷的成果。例如在1700V高壓碳化矽元件性能上取得技術突破，透過獨特的設計，使導通電阻（Ron,sp）最低可達4.2mΩ-cm²，耐壓電壓（BV）；最高則可達到 2400V ，而 Baliga Figure of Merit（BFOM）更達到1.1GW/cm²。
此外，經過雙脈衝測試（DPT），封裝元件在高功率操作下依然能實現正常切換運作，其切換性能甚至媲美國際頂尖大廠的元件；且晶片的良率更高達九成以上。
這些令人振奮的研究成果再度凸顯鴻海研究院在半導體領域的努力，也顯示台灣半導體產業正透過結合產官學研的創新模式，持續攻克技術瓶頸，為半導體技術的發展開創嶄新道路。未來，歐美大廠及鴻海研究院的持續努力，將進一步推動碳化矽半導體技術的革新，為台灣半導體產業寫下更加輝煌的新篇章。
圖二、各元件大廠特性比較（圖片來源：鴻海研究院）
全文轉載自鴻海研究院TECH BLOG
鴻海計畫往電動車、數位健康與機器人發展，而這三個領域的技術突破，則是要靠著人工智慧、通訊技術與半導體研發做突破。這就是鴻海著名的 3+3 政策。在這些領域上想要加速，資訊安全與未來新世代算力也會是突破與發展的重點。因此，鴻海研究院 5 大研究所與1個實驗室就包含人工智慧研究所、半導體研究所、新世代通訊研究所、資通安全研究所、量子計算研究所、離子阱實驗室。
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